ASML 1nm光刻機完成:摩爾定律尚未結束

摩爾定律的終點是什么?隨著5nm光刻技術的大規模生產和3nm的突破,摩爾定律的終結變得越來越難以捉摸??梢钥隙ǖ氖?,隨著過程的進一步改進,其成本將成倍增加。

根據日本媒體Mynavi的報道,歐洲微電子研究中心IMEC首席執行官兼總裁Luc Van den hove在最近一次在線活動的在線演示中表示,與ASML合作已朝著更先進的光刻技術取得了進展。

本月中旬,ITF論壇在日本東京舉行。在論壇上,與ASML合作開發光刻技術的比利時半導體研究組織IMEC在微尺度級別上宣布了3nm及以下工藝的技術細節。至少就目前而言,ASML為3m,2nm,1.5nm,1nm甚至Sub 1nm制定了清晰的路線圖,而1nm時代將使光刻機的尺寸大大增加。

EUV光刻系統的技術路線圖,用于邏輯器件的工藝小型化

ASML幾乎完成了1nm光刻機的設計

IMEC首席執行官兼總裁Luc Van den hove作了第一場主旨演講,概述了該公司的研究成果,并強調了與ASML的密切合作,下一代高分辨率EUV光刻,高NA EUV光刻的商業化。IMEC Inc.強調了將尺寸縮小至1nm及以下的過程將繼續進行。

包括日本在內的許多半導體公司已經退出了工藝的小型化,聲稱摩爾定律已告終結,或者說摩爾定律過于昂貴且無利可圖。盡管日本許多光刻工具制造商已經退出了EUV光刻開發階段,但半導體研究機構IMEC和ASML一直在合作開發EUV光刻,這對于超精細規模至關重要。

IMEC宣布了1nm及以下工藝的路線圖

IMEC將在2020年ITF日本大會上提出3nm,2nm,1.5nm和1nm以下邏輯器件小型化的路線圖。

IMEC的邏輯設備小型化路線圖

PP是多晶硅互連的間距(nm),MP是上游技術節點名稱下的精細金屬布線的間距(nm)。應該注意的是,過去的技術節點是指最小的工藝尺寸或門的長度,但是現在它們只是“標簽”,而不是指位置的物理長度。

EUV的高NA對進一步小型化至關重要

根據臺積電和三星電子的說法,從7nm工藝開始,一些工藝引入了NA = 0.33的EUV光刻設備,而5nm工藝也實現了頻率的提高,但對于2nm之后的超精細工藝,分辨率更高且更高。需要實現光刻設備NA(NA = 0.55)。

EUV光刻系統的技術路線圖,用于邏輯器件的工藝小型化

根據IMEC的說法,ASML已經完成了作為NXE:5000系列的高NA EUV曝光系統的基本設計,但計劃于2022年實現商業化。

ASML過去一直與IMEC密切合作,以開發光刻技術,但為了使用高NA EUV光刻工具開發光刻工藝,已在IMEC校園內建立了新的“ IMEC-ASML高NA EUV實驗室”,以促進聯合研究和使用高NA EUV光刻工藝的工具開發光刻工藝。該公司還計劃與材料供應商合作開發掩膜和抗蝕劑。

ASML在過去與IMEC密切合作開發光刻技術,但開發光刻過程使用高NA EUV光刻工具,一個新的「IMEC-ASML高NA EUV實驗室」已經建立在IMEC校園促進聯合研究和開發的光刻過程使用高NA EUV光刻過程的工具。該公司還計劃與材料供應商合作開發口罩和防腐蝕劑?!矩熑尉庉?額發】

參考鏈接:

https://sparrowsnews.com/2020/12/01/asml-1nm-lithography/

來源:新智元

IT時代網(關注微信公眾號ITtime2000,定時推送,互動有福利驚喜)所有原創文章版權所有,未經授權,轉載必究。
創客100創投基金成立于2015年,直通硅谷,專注于TMT領域早期項目投資。LP均來自政府、互聯網IT、傳媒知名企業和個人。創客100創投基金對IT、通信、互聯網、IP等有著自己獨特眼光和豐富的資源。決策快、投資快是創客100基金最顯著的特點。

相關文章
ASML 1nm光刻機完成:摩爾定律尚未結束
ASML給中國展示7nm光刻機!
ASML中國總裁:對華出口EUV光刻機在等荷蘭政府許可

精彩評論

?